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記憶體規格升級
新舊世代交替中
2025是記憶體產業結構翻轉的關鍵一年。隨著AI伺服器快速成長，原廠資源陸續轉向HBM與DDR5生產，DDR4逐步退場，供需反轉導致價格出現罕見倒掛。模組廠積極調整產品組合、備貨節奏加快，產地佈局也同步轉型，印度與台灣成為兩大製造核心。在世代交替與高階應用推進下，記憶體市場正走向技術、價格與區域供應鏈的全面重構。MoneyDJ專題將帶您深入剖析這場轉型風暴下的挑戰與新機會。
DDR4退場在即，
DDR5滲透加速
DDR4退場在即，
DDR5滲透加速
隨著全球記憶體市場持續向新一代高效能架構轉型，DDR4與DDR5兩代DRAM標準的世代交替已逐步展開。DDR4自2014年推出至今已運行近十年，目前在價格、成熟度與系統相容性方面仍具優勢，但整體需求正逐步趨緩。反觀DDR5則以更高頻寬、更大容量與更佳的能源效率成為市場焦點，特別是在伺服器、高階筆電與AI應用快速成長的帶動下，滲透率持續提升。
隨著全球記憶體市場持續向新一代高效能架構轉型，DDR4與DDR5兩代DRAM標準的世代交替已逐步展開。DDR4自2014年推出至今已運行近十年，目前在價格、成熟度與系統相容性方面仍具優勢，但整體需求正逐步趨緩。反觀DDR5則以更高頻寬、更大容量與更佳的能源效率成為市場焦點，特別是在伺服器、高階筆電與AI應用快速成長的帶動下，滲透率持續提升。
從技術層面來看，DDR5相較DDR4在資料傳輸速率上由3200MT/s提升至最高可達8400MT/s，頻寬增加超過一倍，同時支援更高的模組密度與雙通道架構設計，使其在多工處理與高負載場景下更具效能優勢。不過，DDR5在初期導入時也曾因成本高、技術成熟度不足以及平台支援有限等因素而發展較為遲緩。隨著Intel第12代Core與AMD Ryzen 7000系列等新平台全面支援DDR5，加上製程良率改善與模組價格下修，業界對DDR5的採用意願大幅提升，尤其雲端資料中心與企業伺服器客戶最為積極。
從技術層面來看，DDR5相較DDR4在資料傳輸速率上由3200MT/s提升至最高可達8400MT/s，頻寬增加超過一倍，同時支援更高的模組密度與雙通道架構設計，使其在多工處理與高負載場景下更具效能優勢。不過，DDR5在初期導入時也曾因成本高、技術成熟度不足以及平台支援有限等因素而發展較為遲緩。隨著Intel第12代Core與AMD Ryzen 7000系列等新平台全面支援DDR5，加上製程良率改善與模組價格下修，業界對DDR5的採用意願大幅提升，尤其雲端資料中心與企業伺服器客戶最為積極。
根據TrendForce報告，2025年起DDR5在整體DRAM市占率可望超越DDR4。儘管如此，DDR4在消費型PC與價格敏感型應用領域仍將持續存在一定需求，特別是在部分舊平台汰換速度緩慢的情況下，其生命週期預料將延續至2026年前後。隨著HBM（高頻寬記憶體）逐漸成為AI領域的焦點，DRAM廠商未來如何在DDR4、DDR5與HBM產品線間做出產能與策略配置，將成為市場競爭關鍵。
DDR5應用，
伺服器/高階PC為主力
DDR5應用，
伺服器/高階PC為主力
根據市場研究機構預估，2024年DDR5記憶體的應用市場分布已逐漸成形，其中伺服器領域佔比達40%，成為DDR5最主要的應用驅動力。隨著雲端服務商、資料中心營運商（CSP）以及企業用伺服器平台陸續升級至支援DDR5的處理器架構，如Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa，推升DDR5模組的採用速度遠高於消費型市場。
根據市場研究機構預估，2024年DDR5記憶體的應用市場分布已逐漸成形，其中伺服器領域佔比達40%，成為DDR5最主要的應用驅動力。隨著雲端服務商、資料中心營運商（CSP）以及企業用伺服器平台陸續升級至支援DDR5的處理器架構，如Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa，推升DDR5模組的採用速度遠高於消費型市場。
其次為高階筆電與桌上型電腦，占比約25%，主因Intel第12代Core與AMD AM5平台全面改採DDR5，帶動DIY市場、高階商用機種以及部分遊戲電競機型的需求成長。雖然價格仍高於DDR4，但2024年價格差距已明顯縮小，進一步促進終端滲透。
其次為高階筆電與桌上型電腦，占比約25%，主因Intel第12代Core與AMD AM5平台全面改採DDR5，帶動DIY市場、高階商用機種以及部分遊戲電競機型的需求成長。雖然價格仍高於DDR4，但2024年價格差距已明顯縮小，進一步促進終端滲透。
此外，AI與高效能運算（HPC）系統雖以HBM為主，但仍有約20%的模組配置由DDR5負責暫存與輔助傳輸任務，因此在相關應用中仍占據一席之地。其餘如嵌入式／工控系統與特殊用途平台則合計占比約15%，採用轉換速度相對保守。
此外，AI與高效能運算（HPC）系統雖以HBM為主，但仍有約20%的模組配置由DDR5負責暫存與輔助傳輸任務，因此在相關應用中仍占據一席之地。其餘如嵌入式／工控系統與特殊用途平台則合計占比約15%，採用轉換速度相對保守。
原廠產能轉向，
HBM/DDR5擠壓生產空間
原廠產能轉向，
HBM/DDR5擠壓生產空間
經歷兩年多的庫存修正與產能調整後，全球記憶體市場於2025年第二季迎來明確反彈，而這波市況反轉的背後，來自於原廠策略性的資源重分配。三星、SK海力士與美光等三大原廠，為強化營運體質與毛利結構，近年來已將產能重心轉向高階AI伺服器應用所需的HBM與DDR5記憶體。相對之下，舊世代產品如DDR4與LPDDR4則逐步遭到邊緣化，甚至出現停產規劃。
經歷兩年多的庫存修正與產能調整後，全球記憶體市場於2025年第二季迎來明確反彈，而這波市況反轉的背後，來自於原廠策略性的資源重分配。三星、SK海力士與美光等三大原廠，為強化營運體質與毛利結構，近年來已將產能重心轉向高階AI伺服器應用所需的HBM與DDR5記憶體。相對之下，舊世代產品如DDR4與LPDDR4則逐步遭到邊緣化，甚至出現停產規劃。
據業界觀察，HBM與DDR5雖同樣使用先進製程（如1α、1β），但HBM晶片面積大、堆疊複雜、封裝週期長，大幅佔用原廠先進產能與封裝資源，也直接壓縮到DDR4的生產空間。包括美光、三星與海力士皆已對外表示，將自2024年底至2026年中將逐步停產DDR4產品，造成市場供應快速收斂。
據業界觀察，HBM與DDR5雖同樣使用先進製程（如1α、1β），但HBM晶片面積大、堆疊複雜、封裝週期長，大幅佔用原廠先進產能與封裝資源，也直接壓縮到DDR4的生產空間。包括美光、三星與海力士皆已對外表示，將自2024年底至2026年中將逐步停產DDR4產品，造成市場供應快速收斂。
除了韓系與美系大廠之外，中國記憶體廠商長鑫存儲亦加速向DDR5與LPDDR5轉型，並傳出最快將於2026年上半年全面退出DDR4市場。這些趨勢不僅體現記憶體產業的技術迭代節奏，也反映出全球供應鏈朝向高價值產品再平衡的戰略意圖。
除了韓系與美系大廠之外，中國記憶體廠商長鑫存儲亦加速向DDR5與LPDDR5轉型，並傳出最快將於2026年上半年全面退出DDR4市場。這些趨勢不僅體現記憶體產業的技術迭代節奏，也反映出全球供應鏈朝向高價值產品再平衡的戰略意圖。
DDR4價格倒掛，
黃金尾盤行情顯現
DDR4價格倒掛，
黃金尾盤行情顯現
在供應緊縮與需求交錯的雙重驅動下，DDR4價格自2025年第二季起快速反彈，並於6月底出現罕見的「價格倒掛」現象。根據DRAMeXchange資料，DDR4 16Gb 3200顆粒現貨價突破12美元，已遠高於同容量的DDR5顆粒（約6美元）。價格逆轉的背後，反映的是結構性斷鏈與轉型期的真空現象。
在供應緊縮與需求交錯的雙重驅動下，DDR4價格自2025年第二季起快速反彈，並於6月底出現罕見的「價格倒掛」現象。根據DRAMeXchange資料，DDR4 16Gb 3200顆粒現貨價突破12美元，已遠高於同容量的DDR5顆粒（約6美元）。價格逆轉的背後，反映的是結構性斷鏈與轉型期的真空現象。
在供給方面，隨著原廠優先支援高階應用與伺服器平台，consumer端與嵌入式市場訂單明顯遭到排擠。而終端客戶為因應平台轉換過渡期，亦積極備貨DDR4產品，導致短期需求快速放大。此外，TrendForce預估，2025年第三季DDR4價格仍將季增40%至45%，而標準型DRAM整體價格平均漲幅亦可達10%至15%。
在供給方面，隨著原廠優先支援高階應用與伺服器平台，consumer端與嵌入式市場訂單明顯遭到排擠。而終端客戶為因應平台轉換過渡期，亦積極備貨DDR4產品，導致短期需求快速放大。此外，TrendForce預估，2025年第三季DDR4價格仍將季增40%至45%，而標準型DRAM整體價格平均漲幅亦可達10%至15%。
儘管DDR5價格相對穩定且長期具有取代優勢，但實際導入仍需搭配新主板與平台，導致整體升級成本偏高。尤其在工控與嵌入式市場，因汰換週期長與平台驗證複雜，短期仍以DDR4為主，使其需求具有一定剛性。這些現象使得DDR4在產品生命週期尾聲，反而出現一波「黃金尾盤」行情。
儘管DDR5價格相對穩定且長期具有取代優勢，但實際導入仍需搭配新主板與平台，導致整體升級成本偏高。尤其在工控與嵌入式市場，因汰換週期長與平台驗證複雜，短期仍以DDR4為主，使其需求具有一定剛性。這些現象使得DDR4在產品生命週期尾聲，反而出現一波「黃金尾盤」行情。
HBM超耗製程資源
HBM超耗製程資源
DDR產能面臨壓縮
DDR產能面臨壓縮
隨著生成式AI與大語言模型應用爆發，支援高速運算的HBM記憶體成為全球原廠高度聚焦的核心產品線。HBM結構仰賴先進堆疊封裝技術，其製造流程須經多道複雜工序，且生產週期長達兩季以上，因此對晶圓產能、封裝資源與良率控管要求極高。業界指出，HBM與DDR5共用先進製程節點，在原廠有限的資源分配下，勢必壓縮DDR4與其他標準型DRAM的生產能量。
隨著生成式AI與大語言模型應用爆發，支援高速運算的HBM記憶體成為全球原廠高度聚焦的核心產品線。HBM結構仰賴先進堆疊封裝技術，其製造流程須經多道複雜工序，且生產週期長達兩季以上，因此對晶圓產能、封裝資源與良率控管要求極高。業界指出，HBM與DDR5共用先進製程節點，在原廠有限的資源分配下，勢必壓縮DDR4與其他標準型DRAM的生產能量。
尤其美光、三星、SK海力士等主力供應商皆針對HBM強化產線規劃，部分產能直接由DDR4轉用至HBM。這不僅導致DDR4現貨市場供應緊俏，也讓模組廠需更積極調整採購與備貨策略。業界已普遍將HBM視為「產能黑洞」，在需求爆發階段對其他DRAM產品形成實質排擠。
尤其美光、三星、SK海力士等主力供應商皆針對HBM強化產線規劃，部分產能直接由DDR4轉用至HBM。這不僅導致DDR4現貨市場供應緊俏，也讓模組廠需更積極調整採購與備貨策略。業界已普遍將HBM視為「產能黑洞」，在需求爆發階段對其他DRAM產品形成實質排擠。
模組廠提前卡位，
業者迎接轉單潮
模組廠提前卡位，
業者迎接轉單潮
面對產業重心轉向，台系模組廠與封測廠同步展開策略部署。模組廠如威剛(3260)、創見(2451)、十銓(4967)等業者，普遍因應DDR4停產潮提前備貨，並將低價庫存轉化為獲利空間。其中威剛與創見皆已明確指出，2025年Q3將是DDR4模組出貨高峰，第四季起將逐步轉入DDR5世代，產品結構轉換已啟動。
面對產業重心轉向，台系模組廠與封測廠同步展開策略部署。模組廠如威剛(3260)、創見(2451)、十銓(4967)等業者，普遍因應DDR4停產潮提前備貨，並將低價庫存轉化為獲利空間。其中威剛與創見皆已明確指出，2025年Q3將是DDR4模組出貨高峰，第四季起將逐步轉入DDR5世代，產品結構轉換已啟動。
在封測端，力成(6239)獲得美光釋出的PoP大單，據傳增幅達五成，主要因美光台中廠強化HBM封裝需求，而釋出部分中階封裝業務予協力廠商處理。加上美中貿易壓力升高，台灣業者作為替代產能的重要角色，逐步吸收來自國際品牌的轉單效應。
在封測端，力成(6239)獲得美光釋出的PoP大單，據傳增幅達五成，主要因美光台中廠強化HBM封裝需求，而釋出部分中階封裝業務予協力廠商處理。加上美中貿易壓力升高，台灣業者作為替代產能的重要角色，逐步吸收來自國際品牌的轉單效應。
市場轉換節奏不同，
延續DDR4尾聲需求
市場轉換節奏不同，
延續DDR4尾聲需求
雖然整體記憶體市場正快速邁向DDR5與HBM世代，但實際的導入節奏，在不同應用場域仍有明顯落差。在消費型市場方面，儘管價格敏感度高，但因主板與平台升級門檻不低，加上DDR5價格已跌至合理區間，品牌廠開始加快驗證時程，逐步推動DDR5替換。
雖然整體記憶體市場正快速邁向DDR5與HBM世代，但實際的導入節奏，在不同應用場域仍有明顯落差。在消費型市場方面，儘管價格敏感度高，但因主板與平台升級門檻不低，加上DDR5價格已跌至合理區間，品牌廠開始加快驗證時程，逐步推動DDR5替換。
反觀工控與嵌入式市場則相對保守。業者指出，IPC與工控專案因穩定性要求高，平台轉換需經完整驗證流程，平均導入期超過半年至一年。短期內仍以DDR4為主力記憶體，並可能持續採購至2025年甚至2026年前後，成為支撐DDR4尾端需求的長尾市場。
反觀工控與嵌入式市場則相對保守。業者指出，IPC與工控專案因穩定性要求高，平台轉換需經完整驗證流程，平均導入期超過半年至一年。短期內仍以DDR4為主力記憶體，並可能持續採購至2025年甚至2026年前後，成為支撐DDR4尾端需求的長尾市場。
台廠積極部署產能，
印度成新戰略據點
台廠積極部署產能，
印度成新戰略據點
在全球記憶體產業邁向高階化與去集中化的發展背景下，產地布局成為供應鏈韌性與客戶合作強度的重要指標。部分台系業者已同步客戶需求，積極於海外與本地市場進行產能建置與擴張，以因應記憶體世代更替、地緣政治風險與市場區域化趨勢。
在全球記憶體產業邁向高階化與去集中化的發展背景下，產地布局成為供應鏈韌性與客戶合作強度的重要指標。部分台系業者已同步客戶需求，積極於海外與本地市場進行產能建置與擴張，以因應記憶體世代更替、地緣政治風險與市場區域化趨勢。
其中，台表科(6278)因應客戶赴印度建廠策略，已同步在當地擴建第二座工廠，並啟動第三、第四期計畫，預計2026年起將正式投入記憶體相關產品的生產。據悉，其印度北部廠區將專注於記憶體產品打件與組裝，而南部則聚焦在網通與消費性電子領域。透過與客戶共同成長、供應鏈本地化布局，台表科不僅分散地緣風險，也進一步掌握高毛利的DDR5零組件訂單來源。
其中，台表科(6278)因應客戶赴印度建廠策略，已同步在當地擴建第二座工廠，並啟動第三、第四期計畫，預計2026年起將正式投入記憶體相關產品的生產。據悉，其印度北部廠區將專注於記憶體產品打件與組裝，而南部則聚焦在網通與消費性電子領域。透過與客戶共同成長、供應鏈本地化布局，台表科不僅分散地緣風險，也進一步掌握高毛利的DDR5零組件訂單來源。
另一方面，台灣則成為美光擴充高階DRAM產能與HBM封裝能力的重鎮。美光目前約六成DRAM產能落腳台灣，自併購華亞科與瑞晶後，陸續投資累計超過1.1兆元。2023年底啟用的台中四廠，不僅支援先進製程量產，也強化HBM製造能量；2024年進一步購入友達(2409)舊廠擴建測試線，展現其對台灣產地的長線投資承諾。
另一方面，台灣則成為美光擴充高階DRAM產能與HBM封裝能力的重鎮。美光目前約六成DRAM產能落腳台灣，自併購華亞科與瑞晶後，陸續投資累計超過1.1兆元。2023年底啟用的台中四廠，不僅支援先進製程量產，也強化HBM製造能量；2024年進一步購入友達(2409)舊廠擴建測試線，展現其對台灣產地的長線投資承諾。
這一系列動態顯示，全球記憶體供應鏈正進入「雙軸布局」模式：一方面加速往AI與高階應用集中（如HBM、DDR5），另一方面則透過區域產能配置強化供應穩定性與在地合作緊密度。無論是赴印度分散製造風險，或是在台灣集中技術資源與生產能量，皆展現廠商面對全球市場重組的前瞻規劃。
這一系列動態顯示，全球記憶體供應鏈正進入「雙軸布局」模式：一方面加速往AI與高階應用集中（如HBM、DDR5），另一方面則透過區域產能配置強化供應穩定性與在地合作緊密度。無論是赴印度分散製造風險，或是在台灣集中技術資源與生產能量，皆展現廠商面對全球市場重組的前瞻規劃。
記憶體轉型加速，
市場策略重構
記憶體轉型加速，
市場策略重構
全球記憶體市場正處於關鍵世代交替期，從DDR4逐步退場、DDR5快速導入，再到HBM成為AI時代的核心配置，整體產業鏈正以技術升級與產能重構雙軌驅動，進入新一輪結構性調整週期。原廠基於製程資源與毛利考量，產能配置明顯向高階產品傾斜，導致DDR4出現提前退場的現象，也讓市場價格機制出現短暫扭曲，甚至出現DDR4價格倒掛的罕見情況。
全球記憶體市場正處於關鍵世代交替期，從DDR4逐步退場、DDR5快速導入，再到HBM成為AI時代的核心配置，整體產業鏈正以技術升級與產能重構雙軌驅動，進入新一輪結構性調整週期。原廠基於製程資源與毛利考量，產能配置明顯向高階產品傾斜，導致DDR4出現提前退場的現象，也讓市場價格機制出現短暫扭曲，甚至出現DDR4價格倒掛的罕見情況。
同時，模組廠與封測業者則在需求與供給夾縫間，積極調整庫存與產品結構，既需搶搭DDR4最後一波黃金尾盤，也需布局DDR5與AI應用帶來的新商機。而地緣政治與供應鏈安全議題，則進一步推動廠商在產地布局上強化區域平衡，印度成為外溢製造基地，台灣則持續鞏固先進製程重鎮地位，形塑出新一代全球記憶體產業版圖。
同時，模組廠與封測業者則在需求與供給夾縫間，積極調整庫存與產品結構，既需搶搭DDR4最後一波黃金尾盤，也需布局DDR5與AI應用帶來的新商機。而地緣政治與供應鏈安全議題，則進一步推動廠商在產地布局上強化區域平衡，印度成為外溢製造基地，台灣則持續鞏固先進製程重鎮地位，形塑出新一代全球記憶體產業版圖。
在這場新舊架構交疊的轉型過程中，DDR4雖走向退場，卻並非被快速遺忘的一代；而DDR5與HBM的聯袂推進，將重新定義未來記憶體技術的標準。從技術、成本、市場應用到產地分布，廠商的每一個選擇都將牽動下一輪競爭力的形塑與分布。
在這場新舊架構交疊的轉型過程中，DDR4雖走向退場，卻並非被快速遺忘的一代；而DDR5與HBM的聯袂推進，將重新定義未來記憶體技術的標準。從技術、成本、市場應用到產地分布，廠商的每一個選擇都將牽動下一輪競爭力的形塑與分布。
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製作小組
記者｜李宜秦
設計｜蔡涵綸